BSB019N03LX G
Hersteller Produktnummer:

BSB019N03LX G

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSB019N03LX G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 174A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™

Inventar:

12799463
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

BSB019N03LX G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32A (Ta), 174A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8400 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Koffer
3-WDSON

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
SP000597826
BSB019N03LX G-DG
BSB019N03LXG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IPA60R360P7SXKSA1

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

infineon-technologies

BSC030N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

infineon-technologies

IPA65R150CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220

infineon-technologies

BSP149 E6327

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4